|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人: 范亚明 ; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫
 Adobe PDF(391Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1712/284 | 提交时间：2010/08/12 |
| 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人: 张兴旺; 蔡培锋; 游经碧; 范亚明; 高 云; 陈诺夫
Adobe PDF(525Kb) | 收藏 | 浏览/下载：2703/425 | 提交时间：2010/08/12 |
| 一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 张兴旺; 范亚明; 陈诺夫
Adobe PDF(363Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1347/205 | 提交时间：2010/03/19 |
| 一种增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 张兴旺; 游经碧; 范亚明; 屈 盛; 陈诺夫
Adobe PDF(409Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1357/226 | 提交时间：2010/03/19 |
| 一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 应杰; 张兴旺; 范亚明
Adobe PDF(471Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1264/218 | 提交时间：2011/08/31 |
| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华
Adobe PDF(428Kb) | 收藏 | 浏览/下载：751/98 | 提交时间：2014/10/29 |
| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
Adobe PDF(349Kb) | 收藏 | 浏览/下载：622/0 | 提交时间：2016/08/30 |
| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
Adobe PDF(1167Kb) | 收藏 | 浏览/下载：691/0 | 提交时间：2016/09/29 |
| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
Adobe PDF(568Kb) | 收藏 | 浏览/下载：505/3 | 提交时间：2016/09/28 |
| 一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 赵永梅; 何志; 季安; 王晓峰; 黄亚军; 潘岭峰; 樊中朝; 王晓东; 杨富华
Adobe PDF(392Kb) | 收藏 | 浏览/下载：539/2 | 提交时间：2016/09/12 |
