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| 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 | |
张兴旺 ; 蔡培锋; 游经碧; 范亚明; 高 云; 陈诺夫
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| 2010-08-12 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2010-03-31 ; 2010-08-12 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄膜，提高了接触区域ZnO薄膜的载流子浓度，减小了接触区域ZnO薄膜的电阻率，从而可以显著降低ZnO薄膜和金属的接触电阻，改善其欧姆接触特性。此外，在MS技术中，由于溅射出的粒子具有较高能量，使得ZnO/Ti界面原子能充分混合，可以提高Ti/Au接触在ZnO薄膜上的粘附性。利用该发明最终可以得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触，为实现ZnO薄膜电子器件奠定了基础。 |
| Application Date | 2008-09-27 |
| Language | 中文 |
| Status | 实质审查的生效 |
| Application Number | CN200810223613.6 |
| Patent Agent | 周国城:中科专利商标代理有限责任公司 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13338 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张兴旺,蔡培锋,游经碧,等. 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法[P]. 2010-08-12. |
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| 3535.pdf（525KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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