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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ying J; Zhang XW ; Yin ZG; Tan HR; Zhang SG; Fan YM; Ying, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JM (Liu J. M.); Liu XL (Liu X. L.); Xu XQ (Xu X. Q.); Wang J (Wang J.); Li CM (Li C. M.); Wei HY (Wei H. Y.); Yang SY (Yang S. Y.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Fan YM (Fan Y. M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang ZG (Wang Z. G.)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hao GD (Hao Guo-Dong); Chen YH (Chen Yong-Hai); Fan YM (Fan Ya-Ming); Huang XH (Huang Xiao-Hui); Wang HB (Wang Huai-Bing); Hao, GD, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Nanodevices & Mat Div, Suzhou 215125, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ying J (Ying J.); Zhang XW (Zhang X. W.); Fan YM (Fan Y. M.); Tan HR (Tan H. R.); Yin ZG (Yin Z. G.); Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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| 一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 应杰; 张兴旺; 范亚明
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| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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