SEMI OpenIR
(Note: the search results are based on claimed items)

Browse/Search Results:  1-10 of 15 Help

Filters                        
Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 206-209
Authors:  黄亚军;  刘志强;  伊晓燕;  王良臣;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(219Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1673/704  |  Submit date:2011/08/16
阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 4, 页码: 283-286
Authors:  潘岭峰;  李琪;  刘志强;  王晓峰;  伊晓燕;  王良臣;  王军喜
Adobe PDF(380Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1210/397  |  Submit date:2012/07/17
发光二极管封装结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  杨华;  卢鹏志;  谢海忠;  于飞;  郑怀文;  薛斌;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(281Kb)  |  Favorite  |  View/Download:898/231  |  Submit date:2012/09/09
氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  孙波;  王国宏
Adobe PDF(298Kb)  |  Favorite  |  View/Download:994/234  |  Submit date:2012/09/09
氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  詹腾;  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(278Kb)  |  Favorite  |  View/Download:857/211  |  Submit date:2012/09/09
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  张逸韵;  汪炼成;  郭恩卿;  孙波;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(293Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1479/355  |  Submit date:2012/09/09
氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
Adobe PDF(317Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1092/234  |  Submit date:2011/08/31
高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  黄亚军;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕;  季安;  王军喜
Adobe PDF(267Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1122/230  |  Submit date:2011/08/31
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  闫发旺;  孙莉莉;  张会肖;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(279Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1133/288  |  Submit date:2011/08/31
氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(343Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1059/262  |  Submit date:2011/08/31