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应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED; 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED
张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕; 王国宏
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,包括:一p型金属电极,该p型金属电极包括一金属支撑衬底,以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜;一空穴注入层,该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上;一电子阻挡层,该电子阻挡层制作在空穴注入层上;一发光层,该发光层制作在电子阻挡层上;一电子限制层,该电子限制层制作在发光层上;一电子注入层,该电子注入层制作在电子限制层上;一电流扩展层,该电流扩展层制作在电子限制层上;两个n型金属电极,制作在电流扩展层上,覆盖一部分电流扩展层。
部门归属中科院半导体照明研发中心
专利号CN102214753A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110147591.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23513
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张逸韵,汪炼成,郭恩卿,等. 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED, 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED. CN102214753A.
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应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结(293KB) 限制开放使用许可请求全文
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