SEMI OpenIR

Browse/Search Results:  1-8 of 8 Help

Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作 期刊论文
科学通报, 2011, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 174-178
Authors:  唐龙娟;  郑新和;  张东炎;  董建荣;  王辉;  杨辉
Adobe PDF(2981Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1254/370  |  Submit date:2011/08/16
适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
Inventors:  杨晋玲;  周美强;  周 威;  唐龙娟;  朱银芳;  杨富华
Adobe PDF(423Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1986/418  |  Submit date:2010/08/12
高速射频微机电开关的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
Authors:  唐龙娟
Adobe PDF(3133Kb)  |  Favorite  |  View/Download:612/22  |  Submit date:2009/04/13
Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications 期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 34-38
Authors:  Xie Jing;  Liu Yunfei;  Yang Jinling;  Tang Longjuan;  Yang Fuhua
Adobe PDF(380Kb)  |  Favorite  |  View/Download:978/438  |  Submit date:2010/11/23
Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film 期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 151-154
Authors:  Tang Longjuan;  Zhu Yinfang;  Yang Jinling;  Li Yan;  Zhou Wei;  Xie Jing;  Liu Yunfei;  Yang Fuhua
Adobe PDF(214Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1104/503  |  Submit date:2010/11/23
适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN200920106986.5, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  杨晋玲;  周美强;  周 威;  唐龙娟;  朱银芳;  杨富华
Adobe PDF(424Kb)  |  Favorite  |  View/Download:989/266  |  Submit date:2011/08/31
采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  唐龙娟;  杨晋玲;  解婧;  李艳;  杨富华
Adobe PDF(415Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1452/287  |  Submit date:2011/08/31
采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081224.9, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  李艳;  杨富华;  唐龙娟;  朱银芳
Adobe PDF(311Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1151/262  |  Submit date:2011/08/31