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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, CL;  Wang, YF;  Liu, L;  Fan, XD;  Qi, AY;  Feng, ZG;  Yang, F;  Peng, QJ;  Xu, ZY;  Zheng, WH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴芃;  王翠鸾;  韩淋;  刘媛媛;  李伟;  冯小明;  刘素平;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王翠鸾;  韩淋;  吴芃;  刘媛媛;  李伟;  冯小明;  王勇刚;  刘素平;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴芃;  刘媛媛;  王晓薇;  王翠鸾;  韩淋;  马骁宇;  刘素平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩淋;  刘媛媛;  王翠鸾;  吴芃;  冯小明;  王晓薇;  刘素平;  马骁宇
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲;  黄秀颀;  陈涌海;  王占国
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在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  陈晨龙
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在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CT;  Chen NF;  Gao FB;  Zhang XW;  Chen CL;  Wu JL;  Yu YD;  Peng, CT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ctpeng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YL;  Jin P;  Ye XL;  Zhang CL;  Shi GX;  Li RY;  Chen YH;  Wang ZG;  Wang, YL, Beijing Tongmei Xtal Technol Co Ltd, Dept Res & Dev, Beijing Tongzhou Ind Dev Zone, Beijing 101113, Peoples R China. E-mail: wangyli@red.semi.ac.cn
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