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Fast Growth of Strain-Free AlN on Graphene-Buffered Sapphire 期刊论文
Journal of the American Chemical Society, 2018, 卷号: 140, 期号: 38, 页码: 11935-11941
Authors:  Yue Qi;   Yunyu Wang;   Zhenqian Pang;   Zhipeng Dou;   Tongbo Wei;   Peng Gao;   Shishu Zhang;   Xiaozhi Xu;   Zhenghua Chang;   Bing Deng;   Shulin Chen;   Zhaolong Chen;   Haina Ci;   Ruoyu Wang;   Fuzhen Zhao;   Jianchang Yan;   Xiaoyan Yi;   Kaihui Liu;   Hailin Peng;   Zhi
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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究 期刊论文
真空科学与技术学报, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 154-156
Authors:  刘志凯;  周剑平;  柴春林;  杨少延;  宋书林;  李艳丽;  陈诺夫
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低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2004, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 258-261
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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离子束外延制备GaAs:Gd薄膜 期刊论文
功能材料, 2004, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 336-337
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 1658-1661
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  尹志岗;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 972-975
Authors:  李艳丽;  陈诺夫;  周剑平;  宋书林;  杨少延;  刘志凯
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Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究 期刊论文
物理学报, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473
Authors:  周剑平;  陈诺夫;  宋书林;  柴春林;  杨少延;  刘志凯;  林兰英
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离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究 期刊论文
真空科学与技术学报, 2003, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 350-352
Authors:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  柴春林;  杨少延;  刘志凯
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电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布 期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 17, 页码: 1299-1301
Authors:  张秀兰;  张富强;  宋书林;  陈诺夫;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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