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High material quality growth of AlInAsSb thin films on GaSb substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 028503
Authors:  Fa-Ran Chang ;   Rui-Ting Hao ;   Tong-Tong Qi ;   Qi-Chen Zhao ;   Xin-Xing Liu ;   Yong Li ;   Kang Gu ;   Jie Guo ;   Guo-Wei Wang ;   Ying-Qiang Xu ;   Zhi-Chuan Niu
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Rapid thermal annealing on GaSb thin films grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs substrates 期刊论文
Advanced Materials Research, 2013, 卷号: 787, 页码: 143-147
Authors:  Rui Ting Hao;  Jie Guo;  Shu Kang Deng;  Ying Liu;  Yan Mei Miao;  Ying Qiang Xu
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MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜 期刊论文
功能材料, 2010, 卷号: 41, 期号: 4, 页码: 734-736
Authors:  郝瑞亭;  申兰先;  邓书康;  杨培志;  涂洁磊;  廖华;  徐应强;  牛智川
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GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
Inventors:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
Inventors:  周志强;  郝瑞亭;  汤 宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2009, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 165-167
Authors:  郭杰;  彭震宇;  鲁正雄;  孙维国;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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GaAs 基InAs/GaSb II 型超晶格红外探测材料与器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
Authors:  郝瑞亭
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