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	一种氮化物半导体器件专利专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 王晓晖 Adobe PDF(613Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：1043/152 \| 提交时间：2009/06/11
	无权访问的条目期刊论文作者: 陆大成; 段树坤 Adobe PDF(379Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：915/240 \| 提交时间：2010/11/23
	无权访问的条目期刊论文作者: 王晓晖; 刘祥林; 陆大成; 袁海荣; 韩培德; 汪度 Adobe PDF(185Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：950/335 \| 提交时间：2010/11/23
	无权访问的条目期刊论文作者: 袁海荣; 向贤碧; 陈庭金; 陆大成 Adobe PDF(193Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：852/308 \| 提交时间：2010/11/23
	无权访问的条目期刊论文作者: 陆大成; 刘祥林; 韩培德; 王晓晖; 汪度; 袁海荣 Adobe PDF(278Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：852/309 \| 提交时间：2010/11/23

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