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Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer 期刊论文
IEEE International Conference on Group IV Photonics GFP, 2011, 卷号: 32, 期号: 11, 页码: 114007
Authors:  Li, Zhicong;  Li, Panpan;  Wang, Bing;  Li, Hongjian;  Liang, Meng;  Yao, Ran;  Li, Jing;  Deng, Yuanming;  Yi, Xiaoyan;  Wang, Guohong;  Li, Jinmin;  Li, Z.(lizc@semi.ac.cn)
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Diodes  Electrostatic Devices  Electrostatic Discharge  Gallium Alloys  Gallium Nitride  Light Emission  
静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究 期刊论文
光谱学与光谱分析, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 223-225
Authors:  章继东;  陈京好;  邓元明;  安龙;  章昊;  杨富华;  李国华;  郑厚植
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非共振激发条件下微腔中激子自发辐射的时间分辨光谱 期刊论文
发光学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 299
Authors:  刘宝利;  徐仲英;  王炳新;  邓元明;  杨富华
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量子点、微腔MBE生长和特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1999
Authors:  邓元明
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杂质Si对InAs自组织量子点均匀性的影响 期刊论文
红外与毫米波学报, 1999, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 423
Authors:  王海龙;  朱海军;  李晴;  宁东;  汪辉;  王晓东;  邓元明;  封松林
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自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 550
Authors:  王志明;  邓元明;  封松林;  吕振东;  陈宗圭;  王凤莲;  徐仲英;  郑厚植;  高--;  韩培德;  段晓峰
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InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒 期刊论文
红外与毫米波学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 241
Authors:  陈枫;  封松林;  杨锡震;  王志明;  汪辉;  邓元明
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GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 869
Authors:  杨小平;  张伟;  陈宗生;  王凤莲;  田金法;  邓元明;  郑厚植;  高--;  段晓峰
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