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| 自组织InAs/GaAs量子点的生长和物性表征 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 1998 Authors: 王志明
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| GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性 期刊论文 发光学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 202 Authors: 王杏华; 李国华; 李承芳; 李月霞; 程文超; 宋爱民; 刘剑 ; 王志明
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| 扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究 期刊论文 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 158 Authors: 赵谦; 封松林; 王志明
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| 自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究 期刊论文 物理学报, 1998, 卷号: 47, 期号: 1, 页码: 89 Authors: 王志明; 封松林; 吕振东; 杨小平; 陈宗圭; 宋春英; 徐仲英; 郑厚植; 王凤莲; 韩培德 ; 段晓峰
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| InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质 期刊论文 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 401 Authors: 陈枫; 封松林; 杨锡震; 王志明; 赵谦; 温亮生
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| 自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究 期刊论文 红外与毫米波学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 5, 页码: 335 Authors: 王志明; 吕振东; 封松林; 杨小平; 陈宗圭; 徐仲英; 郑厚植; 王凤莲; 高--; 韩培德 ; 段晓峰
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| 自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应 期刊论文 红外与毫米波学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 6, 页码: 455 Authors: 王志明; 吕振东; 封松林; 赵谦; 李树英; 吉秀英; 陈宗圭; 徐仲英; 郑厚植
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| 自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究 期刊论文 半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 550 Authors: 王志明; 邓元明; 封松林; 吕振东; 陈宗圭; 王凤莲; 徐仲英; 郑厚植; 高--; 韩培德 ; 段晓峰
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| 不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响 期刊论文 半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 714 Authors: 王志明; 吕振东; 封松林; 赵谦; 李树英; 吉秀江; 陈宗圭; 徐仲英; 郑厚植
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| InAs自组织生长量子点的电子俘获势垒 期刊论文 红外与毫米波学报, 1997, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 241 Authors: 陈枫; 封松林; 杨锡震; 王志明; 汪辉; 邓元明
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