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In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 6, 页码: 417
Authors:  王晓亮;  孔殿照;  孔梅影;  侯洵;  曾一平
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高纯氮化镓外延材料的制备 期刊论文
高技术通讯, 1998, 卷号: 8, 期号: 8, 页码: 35
Authors:  刘祥林;  王晓晖;  汪度;  汪连山;  王成新;  韩培德;  陆大成;  林兰英
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立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 1998, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 1112
Authors:  徐大鹏;  王玉田;  杨辉;  郑联喜;  李建斌;  段俐宏;  吴荣汉
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LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 712
Authors:  王国宏;  马骁宇;  曹青;  张玉芳;  王树堂;  李玉璋;  陈良惠
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