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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Luo, MC;  Li, JM;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG;  Li W;  Han PD;  Zhang Z;  Wang YG,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing Lab Electron Microscopy,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Kong MY;  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Impurities  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Semiconducting Iii-v Materials  Gallium Nitride  Sapphire Substrate  Defects  Heterostructure  Semiconductors  Stress  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong MY;  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li SF;  Zhao DG;  Ge H;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ho WY;  Surya C;  Tong KY;  Lu LW;  Ge WK;  Ho WY,Hong Kong Polytech Univ,Dept Elect Engn,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(89Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：946/297  |  提交时间：2010/08/12