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| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1929/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 孙波; 王国宏 Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1389/234  |  提交时间:2012/09/09 |
| 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102185052A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(352Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1740/324  |  提交时间:2012/09/09 |
| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1493/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1373/211  |  提交时间:2012/09/09 |
| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(293Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1922/355  |  提交时间:2012/09/09 |
| 透明电极GaN基LED结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081994.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨华; 王晓峰; 阮军; 王国宏; 曾一平 Adobe PDF(194Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1623/240  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1624/234  |  提交时间:2011/08/31 |
| 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 黄亚军; 樊中朝; 刘志强; 伊晓燕; 季安; 王军喜 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1578/231  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157611.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 李京波; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1499/248  |  提交时间:2011/08/31 |