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| 利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 沈文娟; 曾一平; 王启元; 王俊 Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1090/180  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种高效热调谐共振腔增强型探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 毛容伟; 成步文; 左玉华; 余金中; 王启明 Adobe PDF(840Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1353/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 高效微机械可调谐共振腔增强型探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 毛容伟; 成步文; 左玉华; 余金中; 王启明 Adobe PDF(841Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1097/152  |  提交时间:2009/06/11 |
| 大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓欣; 王启明 Adobe PDF(498Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1147/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王启元; 王俊; 王建华 Adobe PDF(502Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:981/147  |  提交时间:2009/06/11 |
| 双异质外延SOI材料及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王启元; 王俊; 王建华 Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:888/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 时文华; 李传波; 王容伟; 罗丽萍; 王启明 Adobe PDF(406Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1206/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭瑜; 刘峰奇; 李成明; 刘俊岐; 王占国 Adobe PDF(766Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1094/185  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 沈文娟; 曾一平; 王启元; 王俊 Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1100/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭瑜; 王春华; 刘俊岐; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1154/191  |  提交时间:2009/06/11 |