利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法
沈文娟; 曾一平; 王启元; 王俊
2006-10-04
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2005-03-28
语种中文
申请号200510062744
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3567
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
沈文娟,曾一平,王启元,等. 利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法[P]. 2006-10-04.
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