|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 表面等离激元在纳米激光器方面的应用研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 李万里
 Adobe PDF(12806Kb) |  收藏 | 浏览/下载：239/1 | 提交时间：2022/07/15 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 王栎皓
Adobe PDF(9768Kb) | 收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2020/11/24 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张倩莉,于芳,刘忠立,李艳,陈亮,李明,郭旭峰
Adobe PDF(381Kb) | 收藏 | 浏览/下载：783/373 | 提交时间：2013/05/29 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Jiayong; Wang Xiaofeng; Wang Xiaodong; Ma Huili; Cheng Kaifang; Fan Zhongchao; Li Yan ; Ji An; Yang Fuhua
Adobe PDF(1126Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1693/477 | 提交时间：2010/06/07 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁继然; 胡明; 王晓东; 李贵柯; 阚强; 季安; 杨富华; 刘剑; 吴南健; 陈弘达
Adobe PDF(554Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1483/504 | 提交时间：2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华; 曾一平
Adobe PDF(442Kb) | 收藏 | 浏览/下载：918/173 | 提交时间：2011/08/16 |
| 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐龙娟; 杨晋玲; 解婧; 李艳; 杨富华
Adobe PDF(415Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1890/287 | 提交时间：2011/08/31 |
| 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李艳; 杨富华; 裴为华
Adobe PDF(351Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1791/278 | 提交时间：2011/08/31 |
| 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081224.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李艳; 杨富华; 唐龙娟; 朱银芳
Adobe PDF(311Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1723/262 | 提交时间：2011/08/31 |
| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华
Adobe PDF(941Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1419/342 | 提交时间：2012/09/07 |
