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减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉
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PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu SJ;  Li GQ;  Wang YJ;  Zhao Y;  Chen GH;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Yu DP;  Wang JN;  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Joint Lab New Mat, CAS, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  游达;  汤英文;  赵德刚;  许金通;  徐运华;  龚海梅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张燕;  龚海梅;  白云;  陈亮;  许金通;  汤英文;  游达;  赵德刚;  郭丽伟;  李向阳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈亮;  游达;  汤英文;  乔辉;  陈俊;  赵德刚;  张燕;  李向阳;  龚海梅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李雪;  陈俊;  何政;  赵德刚;  龚海梅;  方家熊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李向阳;  许金通;  汤英文;  李雪;  张燕;  龚海梅;  赵德刚;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Jun;  Wang Jianfeng;  Wang Hui;  Zhao Degang;  Zhu Jianjun;  Zhang Shuming;  Yang Hui
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen J;  Wang JF;  Wang H;  Zhu JJ;  Zhang SM;  Zhao DG;  Jiang DS;  Yang H;  Jahn U;  Ploog KH;  Chen, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jchen@red.semi.ac.cn
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