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在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
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自组织单量子点的定位方法及装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  尚向军;  倪海桥;  査国伟;  喻颖;  李密峰;  王莉娟;  徐建星;  牛智川
Adobe PDF(432Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:881/80  |  提交时间:2014/12/25
一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:  査国伟;  牛智川;  倪海桥;  李密锋;  喻颖;  王莉娟;  徐建星;  尚向军;  贺振宏
Adobe PDF(249Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:919/98  |  提交时间:2014/11/17
在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人:  査国伟;  李密锋;  喻颖;  王莉娟;  徐建星;  尚向军;  倪海桥;  贺振宏;  牛智川
Adobe PDF(1282Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:794/69  |  提交时间:2014/11/17
基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人:  喻颖;  李密锋;  贺继方;  査国伟;  徐建星;  尚向军;  王莉娟;  倪海桥;  贺振宏;  牛智川
Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:869/109  |  提交时间:2014/11/05
带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  邢军亮;  张宇;  徐应强;  王国伟;  王娟;  向伟;  任正伟;  牛智川
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在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  査国伟;  李密锋;  喻颖;  王莉娟;  徐建星;  尚向军;  倪海桥;  贺振宏;  牛智川
Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:696/96  |  提交时间:2014/12/25
InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  邢军亮;  张宇;  徐应强;  王国伟;  王娟;  向伟;  任正伟;  牛智川
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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  邢军亮;  张宇;  王国伟;  王娟;  王丽娟;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(1931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:802/73  |  提交时间:2014/11/24
InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人:  蒋洞微;  向伟;  王娟;  邢军亮;  王国伟;  徐应强;  任正伟;  贺振宏;  牛智川
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