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Fully lithography independent fabrication of nanogap electrodes for lateral phase-change random access memory application 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 21, 页码: 213505
Authors:  Zhang Jiayong;  Wang Xiaofeng;  Wang Xiaodong;  Ma Huili;  Cheng Kaifang;  Fan Zhongchao;  Li Yan;  Ji An;  Yang Fuhua
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一种平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  张加勇;  王晓峰;  马慧莉;  程凯芳;  王晓东;  杨富华
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平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010283557.2, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  张加勇;  王晓峰;  马慧莉;  程凯芳;  王晓东;  杨富华
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平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010520209.2, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  张加勇;  王晓峰;  马慧莉;  程凯芳;  王晓东;  杨富华
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相变存储器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  马慧莉;  王晓峰;  张加勇;  程凯芳;  王晓东;  季安;  杨富华
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一种平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010115649.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
Inventors:  张加勇;  王晓峰;  马慧莉;  程凯芳;  王晓东;  杨富华
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垂直相变存储器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010256816.2, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  张加勇;  王晓峰;  马慧莉;  程凯芳;  王晓东;  杨富华
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一种高密度相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010139053.3, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  程凯芳;  王晓峰;  王晓东;  张加勇;  马慧莉;  杨富华
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应用于导电桥存储器的纳米金属插塞电极阵列的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091406.4, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  王晓峰;  张加勇;  王晓东;  季安;  杨富华
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纳流体晶体管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237096.2, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  张加勇;  王晓峰;  王晓东;  杨富华
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