|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝 ; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
 Adobe PDF(573Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1526/287 | 提交时间：2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(550Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1455/257 | 提交时间：2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo J; Peng ZY; Lu ZX; Sun WG; Hao RT; Zhou ZQ; Xu YQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710072 Peoples R China.
Adobe PDF(475Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1149/346 | 提交时间：2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 孙维国; 彭震宇; 周志强; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(321Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1671/721 | 提交时间：2010/11/23 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(621Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1272/190 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(752Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1289/150 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(753Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1184/168 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郝瑞亭; 徐应强; 周志强; 任正伟; 牛智川
Adobe PDF(508Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1035/308 | 提交时间：2010/11/23 |
| 高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 徐晓华; 倪海桥; 徐应强; 韩勤; 吴荣汉
Adobe PDF(504Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1297/176 | 提交时间：2009/06/11 |
| 1.3-1.55 m GaInNAs 多量子阱共振腔增强型探测器 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 徐应强
Adobe PDF(4985Kb) | 收藏 | 浏览/下载：768/42 | 提交时间：2009/04/13 |
