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一种恒温装置及其控制方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张日清;  刘祥林;  杨少延;  张晓沛;  董向芸
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song HP;  Yang AL;  Zhang RQ;  Guo Y;  Wei HY;  Zheng GL;  Yang SY;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Song HP Chinese Acad Sci Kev Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: songhp@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan, HB;  Sun, GS;  Yang, SY;  Zhang, PF;  Zhang, RQ;  Wei, HY;  Jiao, CM;  Liu, XL;  Chen, YH;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Fan, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, RQ;  Liu, XL;  Kang, TT;  Hu, WG;  Yang, SY;  Jiao, CM;  Zhu, QS;  Zhang, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangriq@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, PF;  Liu, XL;  Zhang, RQ;  Fan, HB;  Yang, AL;  Wei, HY;  Jin, P;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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Observation of photogalvanic current for interband absorption in InN films at room temperature 会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:  Tang, CG;  Chen, YH;  Liu, Y;  Zhang, RQ;  Liu, XL;  Wang, ZG;  Zhang, R;  Zhang, Z;  Tang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Quantum-wells  Spin  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, PF;  Liu, XL;  Zhang, RQ;  Fan, HB;  Song, HP;  Wei, HY;  Jiao, CM;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, RQ;  Guo, Y;  Song, HP;  Liu, XL;  Yang, SY;  Wei, HY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Zhang, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangriq@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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InN 薄膜与纳米结构的生长及其物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  张日清
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu WG;  Jiao CM;  Wei HY;  Zhang PF;  Kang TT;  Zhang RQ;  Liu XL;  Hu WG Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: sivamay@semi.ac.cn
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