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采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  康亭亭;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, RQ;  Liu, XL;  Kang, TT;  Hu, WG;  Yang, SY;  Jiao, CM;  Zhu, QS;  Zhang, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangriq@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu WG;  Jiao CM;  Wei HY;  Zhang PF;  Kang TT;  Zhang RQ;  Liu XL;  Hu WG Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: sivamay@semi.ac.cn
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一种高质量InN薄膜的获取方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张日清;  康亭亭;  刘祥林
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一种高效率深紫外发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  康亭亭;  刘祥林
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一种近场光学增强型可见光探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  康亭亭;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang RQ (Zhang Riqing);  Zhang PF (Zhang Panfeng);  Kang TT (Kang Tingting);  Fan HB (Fan Haibo);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang, Zhanguo);  Zhang, RQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangriq@semi.ac.cn;  xlliu@red.semi.ac.cn
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氮化铟纳米结构的生长与低维结构中集体激发的理论研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  康亭亭
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, WG;  Liu, XL;  Jiao, CM;  Wei, HY;  Kang, TT;  Zhang, PF;  Zhang, RQ;  Fan, HB;  Zhu, QS;  Hu, WG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sivamay@semi.ac.cn
Adobe PDF(493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1484/441  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang, TT (Kang, Ting-Ting);  Kang, TT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ktt219@163.com
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