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| 边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人: 陆全勇; 张 伟; 王利军; 高 瑜; 尹 雯; 张全德; 刘万峰; 刘峰奇; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu QY; Zhang W; Wang LJ; Gao Y; Yin W; Zhang QD; Liu WF; Liu FQ; Wang ZG; Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: fqliu@red.semi.ac.cn
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| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波 ; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
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| 多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-02-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张富强; 陈诺夫
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 周剑平; 张富强
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张富强; 陈诺夫; 杨瑞霞; 魏怀鹏; 刘祥林; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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| 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张子旸; 王占国; 徐波; 金鹏; 刘峰奇
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| GaSb 和GaN 基稀磁半导体的制备和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 张富强
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱天伟; 徐波; 何军; 赵凤瑷; 张春玲; 谢二庆; 刘峰奇; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张富强; 陈诺夫; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英
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