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GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术 期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2002, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 584-589
Authors:  孙元平;  付羿;  渠波;  王玉田;  冯玉宏;  赵德刚;  郑新和;  段俐宏;  李秉臣;  张书明;  杨辉;  姜晓明;  郑文莉;  贾全杰
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使用 X射线衍射技术判定 Si C单晶体的结构和极性(英文) 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 35
Authors:  郑新和;  渠波;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾
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立方相GaN/GaAs(001)外延层中六角相的分布特征 期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2001, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 217
Authors:  渠波;  郑新和;  王玉田;  韩景仪;  徐大鹏;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
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计入衍射几何因子和多重性因子的立方GaN相含量的测定 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 146
Authors:  渠波;  郑新和;  王玉田;  冯志宏;  韩景仪;  刘世安;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
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立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相 期刊论文
中国科学. A辑, 数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 562
Authors:  渠波;  李顺峰;  胡国新;  郑新和;  王玉田;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
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Si(001)衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量 期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 242
Authors:  郑新和;  渠波;  王玉田;  戴自忠;  杨辉;  梁骏吾
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