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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  杨晓光;  杨涛
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半导体激光照明光源 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102494299A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-09-07, 2012-09-07
Inventors:  王新伟;  杨嘉琦;  石晓光;  周燕
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硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
Inventors:  杨涛;  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  季祥海;  王占国
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一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
Inventors:  何晓光;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  杨静;  乐伶聪;  李晓静;  杨辉
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硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
Inventors:  韩伟华;  王昊;  马刘红;  洪文婷;  杨晓光;  杨涛;  杨富华
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硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
Inventors:  韩伟华;  杨晓光;  杨涛;  王昊;  洪文婷;  杨富华
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制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
Inventors:  杨晓光;  杨涛
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直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
Inventors:  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  杨涛;  王占国
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高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
Inventors:  何晓光;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  杨静;  乐伶聪;  李晓静;  杨辉
Adobe PDF(330Kb)  |  Favorite  |  View/Download:445/88  |  Submit date:2014/11/24