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III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者:  季祥海
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Iii-v族半导体纳米线  异质结纳米线  自催化生长机制  金属有机化学气相沉积  
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  杨涛;  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  季祥海;  王占国
Adobe PDF(878Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：576/4  |  提交时间：2016/09/12