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| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉
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| 可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-05-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 佟存柱; 牛智川; 韩勤; 杜云; 吴荣汉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang XH (Yang Xiao-Hong); Han Q (Han Qin); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Huang SS (Huang She-Song); Du Y (Du Yun); Peng HL (Peng Hong-Ling); Xiong YH (Xiong Yong-Hua); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Wu RH (Wu Rong-Han); Yang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xhyang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang XD (Wang Xiao-Dong); Wu XM (Wu Xu-Ming); Wang Q (Wang Qing); Cao YL (Cao Yu-Lian); He GR (He Guo-Rong); Tan MQ (Tan Man-Qing); Wang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wxd@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao H (Zhao Huan); Xu YQ (Xu Ying-Qiang); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Han Q (Han Qin); Wu RH (Wu Rong-Han); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Zhao, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaohuan@red.semi.ac.cn; zcniu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cao YL (Cao Yu-Lian); Lian P (Lian Peng); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Wang Q (Wang Qing); Wu XM (Wu Xu-Ming); He GR (He Guo-Rong); Li H (Li Hui); Wang XD (Wang Xiao-Dong); Song GF (Song Guo-Feng); Chen LH (Chen Liang-Hui); Cao, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: caoyl@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 侯识华 ; 孙捷; 毛容伟; 吴旭明; 马骁宇; 谭满清; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王小东; 吴旭明; 王 青; 曹玉莲; 何国荣; 谭满清
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 曹玉莲; 李慧; 何国荣; 王小东; 王青; 吴旭明; 宋国峰; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王小东; 吴旭明; 王青; 曹玉莲; 何国荣; 谭满清
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