SEMI OpenIR

Browse/Search Results:  1-10 of 49 Help

Filters    
Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
Fully lithography independent fabrication of nanogap electrodes for lateral phase-change random access memory application 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 21, 页码: 213505
Authors:  Zhang Jiayong;  Wang Xiaofeng;  Wang Xiaodong;  Ma Huili;  Cheng Kaifang;  Fan Zhongchao;  Li Yan;  Ji An;  Yang Fuhua
Adobe PDF(1126Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1570/477  |  Submit date:2010/06/07
在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  崔军朋;  段垚;  王晓峰;  曾一平
Adobe PDF(566Kb)  |  Favorite  |  View/Download:916/216  |  Submit date:2009/06/11
在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  崔军朋;  段垚;  王晓峰;  曾一平
Adobe PDF(568Kb)  |  Favorite  |  View/Download:829/201  |  Submit date:2009/06/11
氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  段垚;  王晓峰;  崔军朋;  曾一平
Adobe PDF(1207Kb)  |  Favorite  |  View/Download:981/176  |  Submit date:2009/06/11
高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓峰;  段垚;  崔军朋;  曾一平
Adobe PDF(440Kb)  |  Favorite  |  View/Download:847/187  |  Submit date:2009/06/11
湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓峰;  曾一平;  孙国胜;  黄风义;  王雷;  赵万顺
Adobe PDF(537Kb)  |  Favorite  |  View/Download:990/189  |  Submit date:2009/06/11
制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓峰;  曾一平;  黄风义;  王保强;  朱占平
Adobe PDF(449Kb)  |  Favorite  |  View/Download:720/173  |  Submit date:2009/06/11
中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王晓峰;  曾一平
Adobe PDF(717Kb)  |  Favorite  |  View/Download:814/161  |  Submit date:2009/06/11
GaAs 光阴极材料及SiC/SOI 材料的生长与性能的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
Authors:  王晓峰
Adobe PDF(3574Kb)  |  Favorite  |  View/Download:471/16  |  Submit date:2009/04/13
提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  李建明;  种明;  杨丽卿;  徐嘉东;  胡传贤;  段晓峰;  高旻;  朱建成;  王凤莲
Adobe PDF(337Kb)  |  Favorite  |  View/Download:828/182  |  Submit date:2009/06/11