中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法
王晓峰; 曾一平
2005-06-29
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2003-12-24
语种中文
申请号CN200310121794.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/2791
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓峰,曾一平. 中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法[P]. 2005-06-29.
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