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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, P;  Yan, JC;  Zhang, Y;  Wang, JX;  Zeng, JP;  Geng, C;  Cong, PP;  Sun, LL;  Wei, TB;  Zhao, LX;  Yan, QF;  He, CG;  Qin, ZX;  Li, JM
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, P;  Yan, JC;  Zhang, Y;  Wang, JX;  Zeng, JP;  Geng, C;  Cong, PP;  Sun, LL;  Wei, TB;  Zhao, LX;  Yan, QF;  He, CG;  Qin, ZX;  Li, JM
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈弘毅;  陈宇;  孙玲;  郭睿倩;  潘庆;  何杰
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平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1483/264  |  提交时间：2011/08/31
适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1706/298  |  提交时间：2011/08/31
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  闫发旺;  孙莉莉;  张会肖;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1511/288  |  提交时间：2011/08/31
采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1832/288  |  提交时间：2011/08/31
采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1486/280  |  提交时间：2011/08/31
一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1798/300  |  提交时间：2011/08/31
三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113816.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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