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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi, Liwei;  Wu, L.;  Duan, Y. F.;  Hu, J.;  Yang, X. Q.;  Tang, G.
Adobe PDF(536Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：315/89  |  提交时间：2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi K (Shi K.);  Zhang PF (Zhang P. F.);  Wei HY (Wei H. Y.);  Jiao CM (Jiao C. M.);  Jin P (Jin P.);  Liu XL (Liu X. L.);  Yang SY (Yang S. Y.);  Zhu QS (Zhu Q. S.);  Wang ZG (Wang Z. G.)
Adobe PDF(571Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1208/406  |  提交时间：2012/02/22
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan FR (Tan Furui);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Zhang CS (Zhang Changsha);  Shi MJ (Shi Mingji);  Wang ZJ (Wang Zhijie);  Jin L (Jin Lan);  Bi Y (Bi Yu);  Cao J (Cao Jie);  Wang ZG (Wang, Zhanguo);  Hou YB (Hou Yanbing);  Teng F (Teng Feng);  Feng ZH (Feng, Zhihui);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
Adobe PDF(1959Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1572/377  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄添懋;  陈诺夫;  张兴旺;  白一鸣;  尹志岗;  施辉伟;  张汉;  汪宇;  王彦硕;  杨晓丽
Adobe PDF(1081Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1416/339  |  提交时间：2011/08/16
利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  施辉伟;  陈诺夫;  黄添懋;  尹志岗;  吴金良;  张汉
Adobe PDF(244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1222/204  |  提交时间：2011/08/31
在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1611/254  |  提交时间：2011/08/31
利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  时凯;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  王俊;  李志伟;  宋亚峰;  杨少延;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1049/184  |  提交时间：2012/09/09
同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  周文飞;  徐波;  叶小玲;  张世著;  王占国
Adobe PDF(1356Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：744/65  |  提交时间：2014/10/31