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铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析
黄添懋; 陈诺夫; 张兴旺; 白一鸣; 尹志岗; 施辉伟; 张汉; 汪宇; 王彦硕; 杨晓丽
2010
Source Publication中国科学. 技术科学
Volume40Issue:11Pages:1378-1382
Abstract采用铝诱导结晶法在玻璃衬底上制备了具有高度(111)择优取向的多晶硅薄膜.首先通过磁控溅射在玻璃衬底上先后沉积铝层和非晶硅层,然后在480℃下退火1h以完成铝诱导结晶.退火后硅层与铝层发生置换,形成了具有高度(111)择优取向以及良好结晶质量的多晶硅层.通过对Al2O3氧化膜结构变化及晶格匹配进行分析,阐明了铝诱导结晶过程中(111)择优取向的铝层间接促使多晶硅(111)择优取向成核的作用机制
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展计划("973"计划),北京市自然科学基金,浙江大学硅材料国家重点实验室访问学者基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4109203
Date Available2011-08-16
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21650
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
黄添懋,陈诺夫,张兴旺,等. 铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析[J]. 中国科学. 技术科学,2010,40(11):1378-1382.
APA 黄添懋.,陈诺夫.,张兴旺.,白一鸣.,尹志岗.,...&杨晓丽.(2010).铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析.中国科学. 技术科学,40(11),1378-1382.
MLA 黄添懋,et al."铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析".中国科学. 技术科学 40.11(2010):1378-1382.
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