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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Guang-Can;   Xiang, Jin;   Zhang, Yong-Liang;   Deng, Fu;   Panmai, Mingcheng;   Zhuang, Weijie;   Lan, Sheng;   Lei, Dangyuan
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GaAs 基图形化衬底制备与纳米结构控位生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  金兰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ (Wang Zhijie);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Liu JP (Liu Junpeng);  Tan FR (Tan Furui);  Jin L (Jin Lan);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan FR (Tan Furui);  Qu SC (Qu Shengchun);  Zeng XB (Zeng Xiangbo);  Zhang CS (Zhang Changsha);  Shi MJ (Shi Mingji);  Wang ZJ (Wang Zhijie);  Jin L (Jin Lan);  Bi Y (Bi Yu);  Cao J (Cao Jie);  Wang ZG (Wang, Zhanguo);  Hou YB (Hou Yanbing);  Teng F (Teng Feng);  Feng ZH (Feng, Zhihui);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于理科;  徐波;  王占国;  金鹏;  赵昶;  张秀兰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡小凤;  黎晓新;  吴慧娟;  陈品华;  曹晓光;  徐秀兰;  刘国栋;  李春安;  裴为华;  陈弘达;  隋晓红;  刘金彬
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张富强;  陈诺夫;  吴金良;  钟兴儒;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  姜永睿;  胡雄伟;  杨沁清;  王红杰;  杨澜;  郑金红;  谢二庆
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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
Adobe PDF(246Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1236/185  |  提交时间:2009/06/11