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增强型AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 771-777
Authors:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
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在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
Inventors:  谈笑天;  郑厚植;  刘 剑;  杨富华
Adobe PDF(316Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1143/274  |  Submit date:2010/08/12
适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
Inventors:  杨晋玲;  周美强;  周 威;  唐龙娟;  朱银芳;  杨富华
Adobe PDF(423Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1975/418  |  Submit date:2010/08/12
基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
Inventors:  戴 扬;  杜 睿;  杨富华
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Fully lithography independent fabrication of nanogap electrodes for lateral phase-change random access memory application 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 21, 页码: 213505
Authors:  Zhang Jiayong;  Wang Xiaofeng;  Wang Xiaodong;  Ma Huili;  Cheng Kaifang;  Fan Zhongchao;  Li Yan;  Ji An;  Yang Fuhua
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近红外单光子探测 期刊论文
物理, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 825-831
Authors:  刘伟;  杨富华
Adobe PDF(1516Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1003/347  |  Submit date:2011/08/16
纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性 期刊论文
光谱学与光谱分析, 2010, 卷号: 30, 期号: 4, 页码: 1002-1007
Authors:  梁继然;  胡明;  王晓东;  李贵柯;  阚强;  季安;  杨富华;  刘剑;  吴南健;  陈弘达
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内嵌InAs量子点的场效应晶体管特性研究 期刊论文
功能材料与器件学报, 2010, 卷号: 16, 期号: 6, 页码: 596-599
Authors:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华;  曾一平
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一种近红外单光子探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
Inventors:  曹延名;  吴 孟;  杨富华
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共振隧穿二极管D触发器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-10, 公开日期: 3997
Inventors:  杜 睿;  杨富华
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