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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘宇;  谢亮;  袁海庆;  张家宝;  祝宁华;  孙长征;  熊兵;  罗毅
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采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  雷红兵;  王红杰;  胡雄伟;  邓晓清;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷红兵;  王红杰;  邓晓清;  杨沁清;  胡雄伟;  王启明;  廖左升;  杨基南
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  欧海燕;  雷红兵;  杨沁清;  王红杰;  王启明;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ou HY(欧海燕);  Lei HB(雷红兵);  Yang QQ(杨沁清);  Wang QM(王启明);  Hu XW(胡雄伟)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  欧海燕;  雷红兵;  杨沁清;  余金中;  王启明;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  欧海燕;  杨沁清;  雷红兵;  王红杰;  余金中;  王启明;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ou HY(欧海燕);  Lei HB(雷红兵);  Yang QQ(杨沁清);  Wang QM(王启明);  Hu XW(胡雄伟)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  雷红兵;  欧海燕;  杨沁清;  胡雄伟;  余金中;  王启明
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