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生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
Inventors:  占 荣;  惠 峰;  赵有文
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GaAs /AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究 期刊论文
光电子·激光, 2010, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 668-671
Authors:  黄寓洋;  刘惠春;  Wasileweski Z R;  Buchanan M;  Laframboise S R;  杨晨;  崔国新;  边历峰;  杨辉;  张耀辉
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