SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
GaAs /AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究
黄寓洋; 刘惠春; Wasileweski Z R; Buchanan M; Laframboise S R; 杨晨; 崔国新; 边历峰; 杨辉; 张耀辉
2010
Source Publication光电子·激光
Volume21Issue:5Pages:668-671
Abstract研究了GaAs/AlGaAs多量子阱(MQW)空间光调制器(SLM)在不同入射角度下的调制特性。对腔模位置与入射角度的关系进行了理论计算和实验验证, 两者具有较好的一致性。当入射角在0°~75°之间变化时, 腔模从871 nm变化至845 nm, 可调节范围达26 nm。当入射光从垂直入射变化为约45°入射时, SLM对比度从 (CR)3. 8提高到16. 3, 调制电压从9. 5 V下降至6. 5 V。理论分析和实验结果表明, 入射角度调节能够有效提高GaAs/AlGaAs MQWSLM调制性能。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Subject Area光电子学
Funding Organization科技部中美国际科技合作计划基金资助项目,苏州市中美国际合作基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3901846
Date Available2011-08-16
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Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21508
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
黄寓洋,刘惠春,Wasileweski Z R,等. GaAs /AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究[J]. 光电子·激光,2010,21(5):668-671.
APA 黄寓洋.,刘惠春.,Wasileweski Z R.,Buchanan M.,Laframboise S R.,...&张耀辉.(2010).GaAs /AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究.光电子·激光,21(5),668-671.
MLA 黄寓洋,et al."GaAs /AlGaAs多量子阱空间光调制器入射角度特性研究".光电子·激光 21.5(2010):668-671.
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