SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共9条,第1-9条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1567/189  |  提交时间:2009/06/11
具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丁颖;  王圩;  潘教青;  王宝军;  陈娓兮
Adobe PDF(978Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1378/181  |  提交时间:2009/06/11
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1248/193  |  提交时间:2009/06/11
改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1196/179  |  提交时间:2009/06/11
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(830Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:972/142  |  提交时间:2009/06/11
提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
Adobe PDF(656Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:999/153  |  提交时间:2009/06/11
蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭伦春;  王晓亮;  王军喜;  肖红领;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1218/206  |  提交时间:2009/06/11
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(411Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:964/183  |  提交时间:2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王保柱;  王晓亮;  王晓燕;  王新华;  郭伦春;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(410Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1072/307  |  提交时间:2010/11/23