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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
发表日期:2005
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70
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85
90
95
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
光纤定位槽、光斑转换器和光波导器件的一体化制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨笛
;
余金中
;
陈少武
Adobe PDF(508Kb)
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浏览/下载:818/135
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提交时间:2009/06/11
基于脊形光波导的强限制多模干涉耦合器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
樊中朝
;
余金中
;
陈少武
;
王章涛
;
陈媛媛
;
李艳萍
Adobe PDF(634Kb)
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浏览/下载:1139/170
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提交时间:2009/06/11
应用自聚焦透镜阵列的并行光发射模块及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈弘达
;
申荣铉
;
毛陆虹
;
唐君
;
裴为华
;
高鹏
Adobe PDF(650Kb)
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浏览/下载:1026/174
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提交时间:2009/06/11
利用光掩模板作无源对准的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈弘达
;
裴为华
;
唐君
;
申荣铉
;
孙增辉
;
贾九春
Adobe PDF(301Kb)
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浏览/下载:1151/162
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提交时间:2009/06/11
一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
樊中朝
;
余金中
;
陈少武
;
杨笛
Adobe PDF(392Kb)
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浏览/下载:969/148
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提交时间:2009/06/11
磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
杨霏
;
尹志岗
;
柴春林
;
吴金良
Adobe PDF(238Kb)
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浏览/下载:1089/152
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提交时间:2009/06/11
大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
宋书林
;
陈诺夫
;
周剑平
;
杨少延
;
刘志凯
;
柴春林
Adobe PDF(322Kb)
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浏览/下载:1344/189
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提交时间:2009/06/11
磁控溅射靶的制造方法及该方法使用的模具
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
尹志岗
;
杨霏
;
陈诺夫
;
吴金良
;
柴春林
Adobe PDF(389Kb)
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浏览/下载:1015/181
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao FA
;
Chen YH
;
Ye XL
;
Xu B
;
Jin P
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Zhang CL
;
Zhao, FA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaofa@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1181/262
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang YL
;
Chen YH
;
Wu J
;
Lei W
;
Wang ZG
;
Zeng YP
;
Wang, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangyli@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:876/234
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提交时间:2010/03/17