SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条,第1-6条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
一种强磁场的霍尔效应测试装置及其测试方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张攀峰;  吴洁君;  胡卫国;  刘祥林
Adobe PDF(562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1413/201  |  提交时间:2009/06/11
用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1283/150  |  提交时间:2009/06/11
一种多波长复用光纤传感器以及光信号传输的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张松伟;  刘育梁;  李芳
Adobe PDF(407Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1055/147  |  提交时间:2009/06/11
1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
Adobe PDF(629Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1686/227  |  提交时间:2009/06/11
在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  陈晨龙
Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1030/170  |  提交时间:2009/06/11
在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1231/186  |  提交时间:2009/06/11