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具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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