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| 准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 丁颖; 王圩; 王书学; 朱洪亮 Adobe PDF(596Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1184/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽 Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1289/213  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1059/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1208/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平 Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1096/177  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:977/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 胡小华; 李宝霞; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1000/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王书荣; 王圩; 刘志宏; 张瑞英; 朱洪亮; 王鲁蜂 Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1047/163  |  提交时间:2009/06/11 |
| 光纤陀螺用单片集成波导型光收发芯片及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵玲娟; 张靖; 朱洪亮; 王圩; 周帆; 王宝军; 边静; 王鲁峰 Adobe PDF(361Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1200/173  |  提交时间:2009/06/11 |
| 渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王书荣; 王圩; 朱洪亮; 张瑞英; 边静 Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1212/181  |  提交时间:2009/06/11 |