渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法
王书荣; 王圩; 朱洪亮; 张瑞英; 边静
2005-01-19
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2003-06-16
语种中文
申请号CN03142735.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/2733
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王书荣,王圩,朱洪亮,等. 渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法[P]. 2005-01-19.
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