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| 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 冯文; 潘教青 ; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩
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| 光放大器电吸收调制器和模斑转换器的单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮; 周帆
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| 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 潘教青; 赵谦; 王圩; 朱洪亮
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| 无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 梁松; 朱洪亮
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| 激光器-电吸收调制器-模斑转换器单片集成的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮; 周帆; 王鲁峰; 边静
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| 半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基版 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨华; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩
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| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉
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| 一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 侯廉平; 王圩; 朱洪亮
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| 选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 朱洪亮; 李宝霞; 张靖; 王圩
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| 半导体光电子功能材料集成技术平台 成果
2006
主要完成人: 王圩; 朱红亮; 赵玲娟; 周帆; 潘教青; 王宝军; 边静
收藏 | 浏览/下载：2625/0 | 提交时间：2010/04/13
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