一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法
侯廉平; 王圩; 朱洪亮
2006-04-05
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2004-09-30
语种中文
申请号CN200410081008.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3205
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
侯廉平,王圩,朱洪亮. 一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法[P]. 2006-04-05.
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