选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法
朱洪亮; 李宝霞; 张靖; 王圩
2006-03-22
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2005-01-18
语种中文
申请号CN200510004571.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3199
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
朱洪亮,李宝霞,张靖,等. 选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法[P]. 2006-03-22.
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