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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李凯;  叶小玲;  王占国
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单相钆硅化合物以及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李艳丽;  陈诺夫;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林涛;  郑凯;  王翠鸾;  王俊;  王勇刚;  仲莉;  冯小明;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李凯;  叶小玲;  金鹏;  王占国
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