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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
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一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑厚植;  李桂荣;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen HB (Chen Haibo);  Li ZF (Li Zhaofeng);  Chen JJ (Chen Jianjun);  Liu W (Liu Wei);  Yang FH (Yang Fuhua);  Feng SL (Feng Songlin);  Zheng HZ (Zheng Houzhi);  Chen, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hbchen@semi.ac.cn;  fhyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu B (Hu Bing);  Zhou X (Zhou Xia);  Tang Y (Tang Yan);  Gan HD (Gan Huadong);  Zhu H (Zhu Hui);  Li GR (Li Guirong);  Zheng HZ (Zheng Houzhi);  Hu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hubing@red.semi.ac.cn;  hzzheng@red.semi.ac.cn
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Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Zeng, YX (Zeng, Yuxin);  Liu, W (Liu, Wei);  Yang, FH (Yang, Fuhua);  Xu, P (Xu, Ping);  Tan, PH (Tan, Pingheng);  Zheng, HZ (Zheng, Houzhi);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Xing, YJ (Xing, Yingjie);  Yu, DP (Yu, Dapeng);  Zeng, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Inas Quantum Dot  Photoluminescence  Modulation-doped  Field Effect Transistor  Mu-m  Capping Layer